技术编号:3426845
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明属于半导体器件领域,尤其涉及一种应用于AM LCD、AM OLED等平板显示器TFT背板的ZnO基薄膜晶体管的有源层沉积靶材及其制造的新方法。 背景技术 ZnO基TFT被认为是最有可能取代当前大规模产业化的a-SiH TFT的下一代MOSFET,在最近几年引起普遍的关注。与a-SiH TFT相比,透明氧化物薄膜晶体管,主要是氧化锌基薄膜晶体管,具有以下优点a)迁移率比非晶硅晶体管高一个数量级以上;b)对可见光的透明度大于80%;c)可在室温下沉...
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