技术编号：3426934
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于在半导体装置的配线形成过程中的研磨中，特别适合使用的。背景技术 近年来，伴随半导体集成电路(以下，称为LSI)的高集成化、高性能化，正在开发新的微细加工技术。化学机械研磨(以下，称为CMP)法也是其中的一种，是在LSI制造过程，特别是在多层配线形成过程中的层间绝缘膜的平坦化、金属插头形成、埋入配线形成中频繁使用的技术。该技术，例如在美国专利第4944836号公报中已公开。另外，最近为了使LSI高性能化，正尝试利用铜合金作为配线材料。但是，铜合金...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。