技术编号：3427054
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体材料制备，特别涉及一种电磁场辅助的金属有机 物化学气相沉积设备以及应用该设备对半导体外延薄膜生长极性的调节控制方法。背景技术近些年来，化合物半导体材料，尤其是III-V族化合物材料作为研制光电子和微 电子器件的新型半导体材料受到研究人员的广泛关注，在固态照明、光显示、激光打印、光 信息存储等民用和国防安全领域有着广阔的应用前景。目前，氮化镓及其相关半导体器件 的研究取得了非常大的进展，例如GaN、InP基发光二极管(LED)、激光器(L...
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