技术编号:3427098
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造技术,具体涉及一种反应离子刻蚀(Reactive IonEtching, RIE)方法,尤其涉及。背景技术半导体制造中,经常需要在硅衬底或者其它硅材料上构图刻蚀形成孔 洞,现有技术中,通常都是采用干法的RIE刻蚀技术、通过含F元素的气体产生F等离子 (Plasma)来刻蚀硅材料,例如,在 MEMS ((Micro-Electro-Mechanical Systems,微机电系 统)和3D封装技术等领域,通常需要进行体硅刻蚀形成深度达到几...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。