技术编号：3427162
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，特别涉及提高MOS晶体管载流子迁移率的方法。背景技术在半导体制造领域里，已知在掺杂区上形成应力膜可向其下层的掺杂区产生机械 应力，从而使得掺杂区内产生应力来增加相关半导体元件的速度。这样的应力增进了掺杂 杂质的迁移率。迁移率增加的掺杂杂质中的电荷载流子可使半导体元件，例如晶体管，有更 高的运转速度，因此各种适当应用中使用应力膜是有益的。在过去的十几年之间，利用缩减MOS晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Fie...
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