技术编号:3427195
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造,具体涉及反应离子刻蚀(Reactive Icon Etching, RIE)技术,尤其涉及一种深反应离子刻蚀(De-coupled RIE,DRIE)方法及其气体 流量控制装置。背景技术半导体制造中,在MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems,微机电系 统)和3D封装技术等领域,通常需要对硅等材料进行深通孔刻蚀。例如,在体硅刻蚀技术 中,深硅通孔(Through-Silicon-Via,TSV)的深...
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