技术编号：3427492
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。提高单室^积微晶硅s^Jl^阳电池效率的制备方法fiMt领域本发明属于太阳电池，特别涉及一种改善单室沉积微晶硅基或纳米硅基薄駄阳电池效率,法。背景駄单室調子鹏强化学气相沉积(PECVD)狱的低/^特点，再与新型高效非晶掛微晶硅基(纳米硅基)觀电池技糊结合，将f艇基薄膜电淑RJ^的潜在优^f导到真 正体现。gM获得高效率的非晶硅a/微晶硅基(纳米硅基)4M太阳电池，高效ML结微晶硅基 (纳米硅基)薄膜太阳电池的制备则非ss要。但是单室沉积存在的交叉污染^i、...
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