技术编号：3427494
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于氧化钒薄膜热敏电阻的，尤其涉及采用。背景技术氧化钒薄膜VOx在室温下具有较高的电阻温度系数，能达到-3X10—2K—'以上，是一般金属 薄膜的5 10倍，是目前用来制作热敏传感器、红外探测器和红外成像器件的理想材料。目 前，制备氧化钒薄膜的主要方法是反应溅射镀膜法，即在真空室内，同时通入氩气和氧气， 氩气作为保护气体，氧气作为反应气体。溅射金属钒的同时，氧和钒直接反应形成氧化钒薄 膜，这种制备方法，需要的条件非常严格，需要同时控制较多参数，较为...
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