技术编号:3427518
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种新型的钙钛矿型锰基氧化物薄膜材料及其制备方法,特别是一种A位电 子掺杂型的半导体钙钛矿锰基氧化物钕锆锰氧Nda75Zra25Mn03薄膜材料及其制备方法。 背景技术钙钛矿型化合物具有通式AB03,这类材料具有特定的立方晶体结构A位离子位于立 方晶胞的顶点,B位离子位于体心,O2—位于面心。钙钛矿型锰基氧化物是指B位为Mn离子、 A位为La、 Nd、 Pr等+3价稀土元素的钙钛矿型化合物,其通式为AMn03。而A位掺杂型钙 钛矿型锰基氧化物是指...
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