技术编号:3427926
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及红外焦平面探测器的制备工艺,尤其涉及一种在红外碲镉汞探 测器芯片表面生长铟柱的方法。 背景技术在红外焦平面探测器的制备工艺中,有一个重要环节,就是要将碲镉汞探 测器芯片与硅读出电路连接在一起,这种连接,主要是采取倒装互连的方式将 探测器芯片与读出电路通过铟柱互连键合在一起。由于金属铟的延展性好,电 阻率低,在低温甚至在液氦温度还能保持良好的延展性,并且制备大面积的铟 柱阵列也比较方便,所以铟柱连接方式是国内外连接碲镉汞探测器芯片与硅读 出电路最常...
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