技术编号:3427950
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种半导体晶片加工中的深硅 刻蚀装置和一种深硅刻蚀设备的进气系统。背景技术随着MEMS(微机电系统,Micro-Electro-Mechanical Systems)在汽车和消 费电子领域的广泛应用,以及TSV (硅通孔刻蚀,Through Silicon Vias )技 术在未来封装领域的广阔前景,千法等离子体深硅刻蚀工艺逐渐成为MEMS 的主流力卩工才支术。目前典型的深石圭刻蚀工艺为Bosch工艺。其主要特点为整个刻...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。