技术编号：3427972
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及CVD装置，本发明特别是涉及CVD装置，该CVD装置适合在下述场合，于多个面上形成膜，在该场合，具有等离子体形成空间与膜形成空间分离开的结构，象薄膜晶体管，集成电路等那样，在衬底上，形成薄膜。在采用等离子体的衬底处理装置中，一般，要求提高处理的效率与降低成本。最好，可通过提高处理效率，在相同的真空容器内部，一次性地同时对多块衬底进行处理。于是，在过去，人们提出有在同一真空腔内，可同时进行多块衬底的处理的装置(JP特开昭59-14633号文献等)。...
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