技术编号：3427987

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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及。 背景技术氮化硅(Si3N4)薄膜因为其具有高介电常数而被作为介电材料广泛应用在半导 体制造领域，如制造闪存的工艺里需要一层ONO层作为浮置闸(FloatingGate)机控制闸 (ControlGate)之间的介电材料。ONO中的“O”代表Si02薄膜，ONO中的“N”贝Ij 代表Si3N4薄膜。另外，氮化硅薄膜不易被氧分子渗透，利用这一优点，把它作为罩幕层 (Masking Layer),可以在场氧化层制作时，防止晶...
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