技术编号:3428165
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功能材料制备。背景技术现有的铌金属氧化物膜的技术应用多以五氧化二铌结构材料,二氧化铌和非晶结构铌金属氧化物纳米结构膜则少见报道; 目前实现金属氧化物纳米结构膜的制备方法主要有磁控溅射与射频溅射、真空蒸发、溶胶凝胶、M0CVD(金属有机物化学气相沉积)和PLD(脉冲激光沉积)方法等,这些方法在生长纳米材料的时候或者温度较高,或者仪器昂贵并且操作复杂,有些甚至耗时很长,因此采用直接蒸发方法,相比较之下具有很大的优势,尤其相对于规模生产。发明内容 本发...
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