技术编号:3428638
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及研磨机和研磨诸如硅晶片之类的工件的方法。CMP中具有许多相关因素,例如研磨浆的种类、研磨板的旋转速度、研磨垫的种类、温度等。因此,很难选择可获得期望的研磨速率和平面度的最佳研磨条件。本发明的目的是提供一种研磨机和可以改变施加于工件的压力的研磨工件的方法,该方法很少涉及CMP因素,并且易于形成最佳的研磨条件。为了实现该目的,本发明具有以下结构。即,本发明的研磨机包括一压力容器,该压力容器具有一打开或关闭所述压力容器的盖子,压力容器可以升高和降低内部...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。