技术编号：3428768
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体膜的制备方法，尤指。背景技术碘化亚铜是为数不多的p型半导体，直接禁带宽度为3. leV。 Cul半导体的导电性取决于半导体中I的掺杂度，最优化掺杂后面电阻可以降低到25Q/cm2。由于Cul半导体具有良好的光学性能和电学性能。目前对于Cul研究主要集中在以Cul为空穴收集体(即为光阴极)来制备固体染料敏华光伏电池和用作有机合成的催化剂以及制备导电纤维等方面。硤化亚铜作为一种新材料，制备工艺还不成熟。 〃碘化亚铜为灰白色或棕黄色粉末，特性...
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