技术编号：3428866
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，尤其涉及一种改善铜靶材表面 的喷丸方法。背景技术以一定能量的粒子(离子或中性原子、分子)轰击固体表面，使固体近 表面的粒子获得足够大的能量而最终逸出固体表面，这种賊出的、复杂的粒 子散射过程称为濺射。目前，常应用賊射工艺进行薄膜沉积，在此过程中， 被轰击的固体材料称为靶材，需要沉积的薄膜材料决定靶材的材质。例如， 在半导体器件制作中，需要在硅衬底上沉积一层金属铜薄膜，则应用铜靶材 进行賊射。靶材由靶材坯料(Target Blank)和支撑靶...
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