技术编号:3428934
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路制造工艺,特别是涉及一种控制晶圆内的厚度以及由化学机械研磨(CMP)工艺导致的晶圆至晶圆厚度的。背景技术化学机械研磨(CMP)工艺广泛用于制造集成电路。当集成电路在半导体晶圆的表面上分层形成时,CMP工艺是用来平坦化最上层以为后续的制造步骤提供平整表面。CMP工艺是将晶圆置入载具中,该载具将欲研磨的晶圆表面压抵于平台上所铺设的研磨垫上。当含有研磨颗粒与化学试剂的研浆布满研磨垫时,平台及晶圆载具会同时旋转。藉由多孔研磨垫的旋转将研浆送到...
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