技术编号:3428979
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于蒸发的装置,该装置包括真空腔、限定基片平面 的基片台和至少一个喷射单元,该喷射单元包括具有容积的坩埚,其 中所述喷射单元、坩埚和基片台设置在真空腔内。本发明还涉及用于蒸发的坩埚,其具有容积,包括第一端、第二 端、至少一个侧壁和孔隙。本发明还涉及通过在真空腔中蒸发以在基片上生成膜的方法,该 真空腔中包括至少一个喷射单元和包含源材料的坩埚,该方法包括将 基片放置在真空腔内、将原子或分子从源材料中蒸发出来。背景技术在蒸发方法中,基片被放置在真空腔内...
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