技术编号:3429906
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及清除多晶硅表面金属杂质的一种方法,和用多晶硅制备硅熔体的一种改进的方法,这种硅熔体用在通过恰克拉斯基(“CZ”)法生产单晶硅块的过程中。具体地,本发明涉及一种清除金属杂质的方法,这些金属杂质可能是化学结合、化学吸附、物理吸附、或机械包裹在单晶硅的表面上或表面附近。大多数用于微电子电路制造的单晶硅是通过CZ法制备的。在这种方法中,通过在坩埚中熔融多晶硅、在熔融的硅中浸入晶种,拉出晶种使其足以得到晶块所要求的直径,然后晶块以该直径生长,即可生产单晶硅...
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