技术编号:3430001
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。氨(NH3)是一种广泛应用于半导体工业的气体,它被用于固体电子元件的渗氮层的形成,尤其是通过CVD(化学气相淀积)和取向生长(epitary)等方法。在现有技术中众所周知,电子元件中出现缺陷的数目(以及因此而报废的元件数)随加工气体的不纯度的增加而增加,尽管这种表述不是精确的定量关系。这方面特别有害的因素是氧气(O2),此乃其高活性所致。以申请人名义申请的专利EP-B-484301揭示了一种从氨气中去除各种气体杂质-连同其中的氧气-的方法。该方...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。