技术编号:3430875
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过硅和HCl气体反应生产三氯硅烷的方法和用于生产三氯硅烷的硅。 背景技术 在生产三氯硅烷(TCS)的方法中,冶金级硅与HCl气体在流化床反应器中、在搅拌床反应器中或在固体床反应器中反应。该过程通常在250℃和1100℃之间的温度下进行。在反应中,形成除TCS以外的其它挥发性硅烷,主要是四氯化硅(STC)。由于TCS通常是优选的产物,因此以TCS/(TCS+其它硅烷)的摩尔比给出的反应选择性是重要的因素。另一个重要因素是硅的反应性,以初次HCl转...
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