技术编号：3431124
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种低维纳米材料的制备方法，特别涉及一种大面积制备二氧化硅或者硅纳米线及其控制生长的方法，属于纳米材料制备与应用。背景技术 硅材料在传统微电子行业占据着举足轻重的地位，硅纳米线作为硅的一维纳米结构，因其能带结构、光学和电子输运特性，在纳(光)电子器件、互联线、传感器件方面有很大的应用前景而成为一大研究热点。非晶态的二氧化硅纳米线因其在室温观察到强的蓝光，在集成光电纳米器件领域也可得到广泛应用，同样备受关注。二氧化硅纳米线可以经过氧化硅纳米线，或者...
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