技术编号:3431335
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化钽粉末及其制备,特别是。背景技术 氮化钽膜具有一系列优良的电学性能,如良好的热稳定性,较低的温度系数,因而在半导体、集成电路中有着重要应用。氮化钽薄膜还是一种良好的扩散阻碍膜,在铜和硅半导体连接处,为了防止铜原子向硅基体中扩散,用氮化钽膜作为扩散阻碍材料有着广泛的应用。同时,氮化钽薄膜硬度高、化学稳定性好、耐腐蚀性强、耐热和耐冲性能强,使其在工业上有很广阔的应用前景,现已成功地用于制作传真机上的高速热打印头和一些防腐耐磨材料。为了使氮化钽膜在...
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