技术编号:3431784
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术 CdS是一种重要的II-VI族光电半导体材料,在室温下带宽为2.42eV,其在发光二极管、太阳能电池、光催化、非线性光学材料、传感器及信息存储等方面有着广泛的用途,CdS半导体纳米材料是近年来人们研究的热点。在CdS纳米粒子的制备方面,已有较多文献报道了实心CdS纳米粒子和CdS纳米线的制备方法,而有关纳米级CdS空心球的报道还比较少见。钱逸泰课题组用硫脲和CdSO4,经长达30天的反应后,得到了平均直径约为350nm的CdS空心...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。