技术编号:3431786
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种钼酸镧(La2Mo2O9)材料及制法,尤其是钼酸镧(La2Mo2O9)基中温离子导体材料及其制备方法。背景技术 随着氧离子导体材料在能源、电化学器件等方面的广泛应用,研发具有实用价值的中、低温氧离子导体材料已成为人们亟待解决的难题。钼酸镧(La2Mo2O9)氧离子导体材料因其晶格中有着较高的内禀氧空位,而具有较一般材料高的中温氧离子导电率(800℃,0.06S/cm);然而,纯La2Mo2O9在580℃附近存在着相变,相变前后离子电导率相差约...
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