技术编号：3432434
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。属真空冶金法制备太阳能级硅的技术，。背景技术我国生产的多晶硅都是采用国外的氯化提纯技术，该技术是将冶金级硅与无水氯化氢进行反应生成SiHCl3，然后采用蒸馏提纯获得较纯的SiHCl3，再在1100℃温度条件下使用高纯氢气进行还原，获得多晶硅材料。由于受到国外的技术封锁，目前我国的技术水平很低，年产量只有60吨左右。这种生产技术不仅投资大、生产成本高，而且生产过程需要氯气，安全性差，另一方面，太阳能电池用硅材料主要来自于半导体工业的废料和次品，已出现了原料供...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。