技术编号:3432809
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电材料领域,主要涉及场发射显示器阴极的制备方法,即用新材料制备场发射显示器(FED)阴极新工艺及其ZnO纳米线制备的场发射显示器阴极,具体讲就是一种制备场发射显示器阴极的新方法及ZnO纳米线阴极。背景技术 由于碳纳米管(CNT)具有优异的结构特性使其非常适合作场发射平板显示器(FED)的冷阴极材料,国内很多高校及研究所对此投入大量的精力研究碳纳米管场发射平板显示器并已取得了显著成效,如中山大学、东南大学、西安交通大学等。目前,在平板显示器加速向...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。