技术编号：3433019
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种构筑硅纳米点、纳米线的方法，尤其是一种，属于纳米电子和纳米光电子器件材料。背景技术 基于半导体量子结构的纳电子和光电子集成是21世纪新一代半导体器件的核心技术，也是现代信息技术的硬件基础。半导体硅(Si)是当前制备微电子器件最重要的材料，不仅是当前材料科学和微电子学领域中的重大研究课题，还是该学科的国际研究前沿，具有重要的基础和应用研究意义。近十几年来，许多实验和理论研究工作表明，当Si材料的尺寸减小到几纳米时，呈现出明显的量子尺寸效应，特别...
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