技术编号:3433141
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,具体说,涉及一种用热蒸发方法在大气压和700℃~800℃的条件下在硅片衬底上形成大面积多角状纳米ZnO和碳纳米管的复合结构,属于光电子和半导体材料及其制备的。背景技术目前,许多场发射器件,例如平板显示器,X射线源,真空微波放大器等,都需要高质量的场发射阴极材料。由于一维纳米结构(如纳米管,纳米线等)有较大的长径比和小的曲线半径,在较小的电场下可以获得较大的场发射电流密度,因此它们是理想的阴极材料。过去几年中,人们致力于用碳纳米管作为电子发射源,...
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