技术编号:3434192
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种硫化铟的制备方法,尤其涉及一种,采用化学溶剂热法制备三硫化二铟的纳米带。属于纳米材料制备。背景技术 纳米材料的结构和形貌对于其性能与应用有很大的影响,特殊形貌的纳米结构材料对于其在纳米电子学、磁学、光电子学、杂相催化等领域有着重要的意义,因此纳米材料的形貌控制合成已经受到越来越多的重视。自从2001年王中林等人在《科学》杂志上首次报道半导体氧化物的纳米带以来,许多带状的纳米材料已经被合成出来并对其进行了广泛的研究,因为纳米带的平面结构是研究材...
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