技术编号:3434326
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料化学,尤其涉及一种制备树枝状硒化银纳米晶薄 膜材料的化学方法。 背景技术硒化银(Ag2Se)晶体,是一种A、BW型的半导体材料,由于其特有的电学 和光学性能多年来一直受到研究人员的关注。目前,这种材料已广泛应用在太 阳能电池、燃料电池、固体电化学传感器、磁性传感器件和滤光器等诸多领域, 具有广泛的应用前景。硒化银晶体拥有高温相(o;-Ag2Se)和低温相(/3-Ag2Se)两 种相态,两相态间的转变温度为133摄氏度。体心立方结构的o;-Ag...
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