技术编号:3434815
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。本发明特别涉及适合于制备太阳能电池的。背景技术半导体级主要采用在高温下使三氯硅烷与氢反应的西门子法。该方法可获得纯度极高的硅,但是成本较高,并且难以降低成本。 在环境问题成为焦点的今天,太阳能电池作为清洁能源受到关注,以住宅用为中心的需求急剧增加。硅系太阳能电池的可靠性或转换效率优异,因此占太阳光发电的八成左右。太阳能电池用硅是以未达到半导体级硅规格的产品作为主要原料的。因此,为了进一步降低发电成本,人们希望确保低价格的硅原料。 作为替代西门子...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。