技术编号:3434967
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。技术背景金属氧化物半导体二氧化钛(Ti02)是宽禁带半导体材料,禁带宽度在3.0 3.41eV左右,在0.35 12pm波长区间透明,折射率高,并具有力学性能高、 化学性能稳定的特性等等。锐钛矿型Ti02具有光催化特性,在众多的光催化剂 (Ti02, ZnO, Fe203, CdS等)中,Ti02以其无毒、催化活性高、稳定性好、价廉 易得等特点受到人们的重视。利用其对水中有机污染物进行光催化降解,最终 生成无毒无味的C02, H20及一些简单...
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