技术编号：3435900
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及生产六氯乙硅烷(Si2Cl6)的方法，其中六氯乙硅烷可从生产高纯度多晶硅的方法排放的废气中有效地回收。并且，本发明优选涉及回收四氯乙硅烷(Si2H2Cl4)与六氯乙硅烷的生产方法。本发明公开本发明解决了生产六氯乙硅烷方法中的上述常见问题，并提供了这种可有效获得高纯度的六氯乙硅烷的方法。也就是说，在本发明中，通过考虑其中使用高纯度原料气体的生产多晶硅的方法，发现在含未反应的氢气、三氯硅烷和副产物四氯化硅的废气中包含一种高纯度的聚合物，例如六氯乙硅烷...
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