技术编号：3436975
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种含钌金属的去除剂，能够用于去除例如粘附到半 导体衬底上的不希望的含钌金属，还涉及这种去除剂的使用方法。背景技术近年来，已采用例如Ta205等高介电常数的膜，代替常规氧化硅 或氮化硅膜作DRAM或FeRAM的电容膜。这种高介电常数膜能够保 证在小占据面积上所需要的累积电容，并且能够提高存储单元的集成 度。在利用这种高介电常数膜和作为夹着电容膜的电极材料的多晶硅 时，在加热半导体器件期间，氧从高介电常数膜中析出，会氧化电极 材料。因此，两电极材料...
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