技术编号:34379050
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及光电器件技术领域,特别涉及一种改善晶圆选择性窗口扩散均匀性的工艺。背景技术.杂质扩散技术是形成pn结的重要方法之一,因此该技术成为一些光电子器件的标准制备工艺。为了实现杂质扩散,通常会在被扩散的晶体表面生长一层扩散掩膜,通过光刻、rie刻蚀方法、去胶清洗等步骤形成扩散窗口。受主杂质或施主杂质通过扩散窗口扩散至晶体内部形成pn结。对于apd器件或者其他光电子器件而言,pn结深是一个重要参数,它决定着apd器件的反向开启电压vpt及击穿电压vbr等特征值大小。因此控制pn结深是实现高...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。