技术编号:3438417
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种多晶硅还原炉,主要是用三氯氢硅和氢气在加热的硅芯上进行化学气相沉积生产多晶硅的还原炉。 背景技术目前,国内外生产多晶硅的主要工艺技术是"改良西门子法"用氯气和氢气合成 氯化氢,氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅,然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯,提 纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后通入多晶硅还原炉内,在一定的温度和压力下, 在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅,反应温度控制在1080摄氏度左右,最终生成 棒状多晶硅产品,同时生成四氯...
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