技术编号:3439027
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,尤其涉及一种利用热 蒸发的方法制备的氧化铟纳米结构半导体材料。背景技术氧化铟(In2O3)是一种非常重要的透明半导体,在过去的几十年里,人们对它进行 了广泛的研究。M2O3在室温下的直接带隙为3. 6eV左右,因此现在被广泛应用于光电领域, 太阳能电池和气体传感器。由于具有相对低的电子势,N掺杂的方便性(例如,锡掺杂的氧 化铟ΙΤ0),高的化学惰性和高的阻抗,因此是一种颇有前景的场发射材料。目前,人们已经利用多种方法已经制备出了多种多样的M...
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