技术编号:3439492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多孔硅材料制备领域,具体地,本发明涉及利用硅与卤代烃催化反应实施多孔硅材料制备方法。背景技术多孔硅是一种孔径为纳米到毫米数量级的海绵状的新型功能多孔材料,其独特的光学特性、介电特性、微电子相容性、滤过性、孔可控性及大的比表面积使其在生物分析、免疫检测、绝缘材料、敏感元件及传感器、照明材料、光电器件、集成电路、太阳能电池和锂离子电池等领域具有广泛的应用。多孔硅是一种新型的半导体光电材料,在室温下具有优异的光致发光、电致发光等特性,易与现有硅技术兼容...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。