技术编号:3439819
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及切割、研磨材料领域,具体涉及一种。 背景技术碳化硅(SiC)是一种人造材料,地壳上至今尚未发现有天然碳化硅矿产。人造碳 化硅的生产工艺是由美国的Acheson博士于1893年发明并投入工业化生产的,其生产工艺 一直沿用至今。碳化硅具有很强的离子共价键,Si-C键结合约87%为共价键,在成键时形 成SP3杂化轨道,形成类金刚石结构的四面体基本结构单元。碳化硅具有高达1250kJ/mol 的原子化能值,其德拜温度也很高达到1200 1430K,因此决...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。