技术编号:3440004
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于硅的纯化的,具体涉及到一种利用一氧化硅歧化反应制取太 阳能电池用多晶硅的方法。背景技术太阳能电池用多晶硅必须是杂质总含量低于lppmw、纯度达到6N(即 99. 9999wt% )的高纯硅,用它制作太阳能电池时,方可确保达到所需要的光电转换效率; 而且在长期使用过程中不会发生明显的衰减。多年以来,世界各大公司生产太阳能级硅的方法主要是西门子法,即热化学气相 沉积(CVD)法。这一方法的工艺流程是第一步用盐酸或氯气同工业硅反应生成三氯氢硅 或四氯化...
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