技术编号:3441090
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米多孔材料制备,具体地说是一种廉价中孔二氧化硅材料的制备方法。背景技术孔径大小介于2-50nm的中孔氧化硅材料由于具有大的比表面积、高的孔体积、均一可调的孔径等特点在催化、吸附、传感、药物传输和纳米反应器等方面具有广阔的应用前景。因此研发一种廉价的中孔氧化硅的制备方法具有重大的实用价值。目前关于中孔氧化硅的合成普遍使用的是表面活性剂模板技术,即先将表面活性剂溶于一定PH值的溶液中,加入硅前驱体使其在一定温度下水解自组装,再在一定条件下去除有机模...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。