技术编号:3441182
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及制造大尺寸石墨烯层的方法和将大尺寸石墨烯层转移到转移基底上 的方法。背景技术石墨烯(graphene)具有电、机械和化学稳定性,并具有相对高的导电率。因此,石 墨烯作为用于在电路中使用的基本材料而备受关注。可以使用化学气相沉积(CVD)或碳化 硅(SiC)基底的热解来制造石墨烯。可以执行湿蚀刻来从石墨烯去除基底。然而,对于大尺寸石墨烯层,湿蚀刻从大 尺寸石墨烯层的边缘开始,因此蚀刻到大尺寸石墨烯层的中心部分需要花费相对长的时间 段。还可以使用转印...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。