技术编号:3441207
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米结构生长领域,是。 背景技术硫化锰是一种宽带隙的VHB-VIA磁性半导体,有三种相态,S卩八面体配位、绿色 和稳定的岩盐结构α-MnS;四面体配位、粉色、介稳的闪锌矿结构β-MnS和纤锌矿结构 Y-MnS0其能隙款1(在0°C )为3. 7eV,而其平衡还原电对电位为-1. 19V,还原能力强,这 些性质使MnS在短波光电仪器、太阳能电池材料和催化材料等方面具有潜在的应用价值。纳米材料由于其量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应、宏观量子隧道效应...
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