技术编号:3441320
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多晶硅生产领域,具体为。 背景技术目前,可用于生产太阳能级多晶硅的化学方法主要有两大类西门子法和硅烷法。 西门子法生产的多晶硅占市场的80 %,而其他方法所占比例只有不到20 %。西门子法采用固定床反应器进行SiHCl3热氢还原工艺,即在1100°C以上的高温下 进行化学反应,分离出多晶硅,其反应效率低于20%,直接电耗在100kWh/kg以上,而且会 产生比硅多8倍以上的SiCl4、及SiH2Cl2等,此化学反应过程为3SiHCl3+2H2 —...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。