技术编号:3441511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于水热合成制备方法,特别是涉及纤锌矿相纳米氮化铟InN、氮化镓GaN、氮化铝AlN及其固溶体半导体发光材料的制备方法。背景技术 纤锌矿相纳米氮化铟InN、氮化镓GaN、氮化铝AlN及其固溶体在发光二极管、光过滤器、超离子材料和半导体材料方面有着广泛的应用。实现工艺简单、环境洁净、且产品半导体带宽能覆盖蓝光和紫外区的制备方法是半导体工业面临的问题。以氮化镓GaN为例,美国《无机化学》(Inorganic Chemistry,1993年第32卷2745...
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