技术编号:3441761
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种冶金法太阳能级多晶硅的制备,特别是涉及一种双室单联真空循环脱气炉及太阳能级多晶硅的制备。背景技术太阳能级多晶硅材料的纯度要求是6N 7N,而且其中硼的含量应当在0. 2 0. 3ppmw就可以了。如果纯度高于7N,还需要对多晶硅加入适量的硼磷掺杂,降低纯度后, 才能用于光伏发电。冶金法制取太阳能级多晶硅是最有希望的替代技术之一。尽管冶金法多晶硅产品还可能存在某些问题,但冶金法具有工艺简单、能耗低等一系列优点。将冶金硅利用冶炼炉的余温,在液态...
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