技术编号:3441762
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种冶金法太阳能级多晶硅的制备,特别是涉及一种双室双联真空循 环脱气炉及用该炉进行太阳能级多晶硅的制备。背景技术多晶硅产品的主要用途有两种一种是用于制备太阳能电池,另一种是用于集成 电路。两种用途对多晶硅产品的性能参数要求也不尽相同,电子级多晶硅的纯度要求达到 9N IlN ;而太阳能级电池在保证光电转换效率与寿命的前提下,对多晶硅纯度的要求大 致在6N 7N左右。不同的参数标准决定了不同用途的多晶硅的制备方法也有差异,电子 级多晶硅一般是使用高...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。