技术编号:3441859
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及湿化学法合成 壳层厚度可控的碳纳米管和硫化镉核壳结构的方法,属于先进纳米材料制备。背景技术多壁碳纳米管(MWCNTs)是优良的零带隙半导体材料,其特殊的一维纳米结构,在物理,化学,生物学,材料学领域引起广泛的研究热潮。碳纳米管优良的导热,导电性能,优于钢铁的机械性能,以及化学惰性,使碳纳米管在很多高,诸如场发射元件,导电薄膜,储能材料,发光器件,传感器及生物器件土具有传统材料无法比拟的应用前景。硫化镉(CdS)为优良的直接带隙窄禁带半导体材料,可...
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